分析总投资170亿美元，芯片巨头冲刺3nm工艺，技术比台积电更先进

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在全球晶圆代工领域，台积电连续多年稳坐霸主地位，所占市场份额超50%。尽管目前来看，台积电的龙头地位依旧无可撼动，但韩国芯片巨头三星，始终虎视眈眈，不甘做“老二”的位置，屡屡向台积电发起挑战。由于这些理由，我觉得深圳哪里有电镀的情况还比较乐观，市场还处于一片蓝海的阶段。

尽管在2021年首代5nm芯片才实现量产，但3nm芯片的“市场争夺赛”却早已开始，而台积电则是率先发力。据台湾《经济日报》报道，台积电3nm芯片研发领先全球，在今年3月份就已经实现风险试产，预计在2022年上半年即可实现3nm芯片量产装机。同时，三星也传来了3nm芯片的消息。3月14日媒体报道，三星在IEEE国际固态电路会议上，向外界透露了有关3nm
GAEMBCEFET芯片的一些细节。

值得一提的是，三星的3nm工艺方面选择了向纳米片晶体管过渡，该技术具有“高速度、低功耗和更小面积”的特点。据三星高管介绍，三星拥有3GAE、3GAP两种3nm工艺，其中，3GAE工艺节点的晶体管密度提升80%，同时具有30%的性能提升，50%的功耗降低。从官方透露的信息来看，三星3nm工艺的纳米片晶体管技术，似乎比台积电3nm工艺采用的FinFET技术更先进。

与台积电一样，三星的3nmGAE芯片，也有望在2022年推出。众所周知，三星在7nm、5nm工艺节点已经落后台积电，想要实现对台积电的弯道超车，3nm工艺节点至关重要。因此，三星对3nm工艺寄予厚望。当然，想要超越台积电，仅靠先进工艺制程还远远不够，三星双管齐下，加大对3nm工艺研发的同时，还加大投资扩张产能。

加快发展脚步，投资170亿美元赴美建厂。4月20日，《韩国先驱报》报道，三星有望在下个月宣布投资计划，预计会在美国、韩国平泽投资约448亿美元建厂。其中，针对美国第二厂的投资或在170亿美元左右，德州奥斯汀为建厂地点的可能性大。对于三星的赴美建厂，一方面，是因为韩国担心半导体优势消失，另一方面，或许是意欲在“芯片荒”下抢占更多市场。

根据媒体报道，大韩商会会长孙庆植曾表示，“美国提振半导体产业，我担心韩国的晶片领导地位会被动摇。”前有台积电稳居霸主地位，后有美国提振半导体产业，三星加快发展脚步也是理所应当。另外，正值“芯片短缺”席卷全球，且短时间内不会得到解决，三星此举也有望抢下更多市场。

不过，在“芯片荒”下看到发展机遇的并非只有三星，台积电亦是如此。前不久，台积电已经宣布将在美国亚利桑那州新厂投资120亿美元。专家分析称，三星、台积电在美国投资建厂方面展开“竞赛”，这或许意味着一场新的“芯片之战”即将打响。众所周知，目前在全球晶圆代工厂中，唯有三星面对台积电有“一战之力”，面对三星的加速追赶，笔者认为台积电的压力不小。

2021年受外部环境影响，台积电失去了华为的订单，尽管没有影响台积电霸主地位，但台积电的营收还是有所下滑。2021年Q4季度，台积电5nm工艺营收25.36亿美元，而到了2021年一季度，这一数字已经跌至18.09亿美元。而在失去华为这一大客户后，台积电对苹果的“过度依赖”越发明显。倘若苹果手机的销量下滑，台积电的霸主地位必然会被动摇。

另外，全球芯片短缺对台积电来说虽然是一个发展机遇，但台积电先遇台湾大旱灾，陷入“缺水危机”，后遭工厂起火，或有近万片芯片“报废”。因此，台积电目前的状况并不乐观。你认为，三星能否在2030年赶超台积电?